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NTP2955
1200
1100
1000
900
800
700
600
500
C ISS
C RSS
V GS = ? 0 V
C ISS
T J = 25 ° C
12
10
8
6
T J = 25 ° C
V DS
Q GS
Q T
Q GD
I D = ? 12 A
V GS
60
50
40
30
400
4
20
V DS = ? 0 V
300
200
100
0
? 10 ? 5
0
5
C OSS
C RSS
10
15
20
25
2
0
0
4
8
12
10
0
16
? V GS
? V DS
Q G , TOTAL GATE CHARGE, (nC)
GATE ? TO ? SOURCE OR DRAIN ? TO ? SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 7. Capacitance Variation
1000
Figure 8. Gate ? to ? Source and
Drain ? to ? Source Voltage versus Total Charge
14
100
V DD = ? 30 V
I D = ? 12 A
V GS = ? 10 V
t f
t r
12
10
V GS = ? 0 V
T J = 25 ° C
8
10
t d(on)
t d(off)
6
4
2
1
1
10
100
0
0
0.25
0.5
0.75
1.0
1.25
1.5
1.75
2.0
1000
R G , GATE RESISTANCE ( W )
Figure 9. Resistive Switching Time Variation
versus Gate Resistance
250
? V SD , SOURCE ? TO ? DRAIN VOLTAGE (V)
Figure 10. Diode Forward Voltage versus
Current
100
V GS = ? 10 V
SINGLE PULSE
T J = 25 ° C
1 ms
100 m s
10 m s
200
150
I D = ? 12 A
10
100
1
0.1
0.1
10 ms
R DS(on) LIMIT
THERMAL LIMIT
PACKAGE LIMIT
1.0
10
dc
100
50
0
25
50
75
100
125
150
175
? V DS , DRAIN ? TO ? SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 11. Maximum Rated Forward Biased
Safe Operating Area
http://onsemi.com
4
T J , STARTING JUNCTION TEMPERATURE ( ° C)
Figure 12. Maximum Avalanche Energy
versus Starting Junction Temperature
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